ساختار  Biepitaxid، پيوند josephson و SQUIDs : ساختار و ويژگي‌هاي اتصال يا پيوند josephson و SQUIDs،   yBCo/CeO2/Mgo Biepitaxid را بررسي و گزارش كرديم، در اينجا CeO2 به عنوان يك لايه استفاده شده تا يك محدوده يا مرز Biepitaxid براي بلور يا ذره ايجاد كند. سطوح تابكاري نشده لايه CeO2 و سطح تابكاري شده آن توسط ميكروسكوپ اتر يا (AFM) بررسي شدند. دماي مقاومت لايه نازك yBCo/CeO2/Mgo نشان مي‌دهد كه فرآيند تابكاري براي لايه CeO2 به منظور ايجاد لايه فيلم YBCo با كيفيت خوب ضروري است. منحني ولتاژ جريان اتصال يا پيوند josephson عملكرد مربوط به مقاومت اتصال (RSJ) را نشان مي‌دهد. بعلاوه هر دو مرحله عددي يا انتگرال و يا نيمه انتگرال Shapiro در ميدان مغناطيسي بكاربرده شده صفر مشاهده شد نوسان ولتاژ مغناطيسي مدولي شده نيز براي SQUIDs ديده مي‌شود.

1-  مقدمه: بدليل توسعه و پيشرفت مدارهاي مجتمع ابررسانا، High-T، اتصالات ابررساناي josephson به شكل گسترده‌اي مورد بررسي و آزمايش واقع شدند. به منظور بدست آوردن اتصالات josephson قابل كنترل و قابل دستيابي به انواع مختلف اتصالات مانند محدوده داراي لبه پله‌اي، SNS يا اساس و پايه bicrystaf استفاده شد. بهرحال اين نوع مرزها معمولاً طي زمان ساخت با فرآيندهاي بسيار زيادي درگير هستند. براي ساده‌تر كردن فرآيند ساخت، اتصالات josephson محدوده دانه Biepitaxid مورد بررسي واقع شد. در اين كار، CeCo2 انتخاب شد تا يك لايه براي محدوده ذره   Biepitaxid باشد و روش ساده و شيميايي حكاكي بجاي فرزكاري آهن استفاده شد تا باعث جدا شدن نيمي از لايه CeCo2 از پايه Mgo شود.

SQUIDs و اتصالات josephson  Biepitaxid را ساختيم. بعضي از ويژگي‌هاي جريان ولتاژ براي اتصالات josephson و SQUIDs مورد بررسي واقع شد. همچنين نوسان ولتاژ تقسيم شده در ميدان مغناطيسي براي SQUIDs نيز بررسي شد.